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一张银光闪闪的单晶圆片放在显微镜托盘上，借着光线反射，可以看到单晶片上一个个比8分钱邮票还略小一点的长方形块状斑痕。

在显微镜下，这些瘢痕被放大，显出真容，纵横交错的密集电路和元器件出现在眼前。

郭逸铭慢慢地调节着焦距，将局部电路放大，一点一点地对试运行生产的芯片进行仔细检查。为了实际检验各流程的工艺水平，他们这次试运行特意根据工艺流程的步骤，试制了一大批芯片。每一个流程在制备完成之后，都留下一张半成品晶圆片，作为对比观察的样品，并为以后进一步改进工艺流程、改造设备积累数据。

他看了一阵子，眼睛移开镜头，长时间注目让他的眼睛觉得胀痛。

“掩膜的制备能力还是不行，分辨率还是不够……”

“光学聚焦和透镜制作距离国际水平差距仍很大，看线宽边缘的扩散范围，显然是为了增大曝光率，提升能量之后出现的必然结果……”

“铜互连工艺基本达到了工艺要求，比之目前国际上采用的铝互连降低了三分之一的尺寸。采用化学刻蚀成本低，大批量生产看来不是问题……，不过化学刻蚀的极限也就到此为止了，以后还是要将精力集中在如何采用激光刻蚀、离子注入等改进上来……”

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